Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20.15 x 15.75 x 5.15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia Complementarios TIP35C/ TIP36C
St Microelectronics presenta su serie TIP35C/TIP36C de transistores de potencia complementarios. Este tipo de transistor está diseñado para amplificación de potencia de uso general y conmutación como etapas de salida o controlador. Las series TIP35C/ TIP36C están fabricadas especialmente en tecnología planar con diseño de isla base, lo que da lugar a que los transistores muestren un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto al tiempo que tienen una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN - PNP complementarios
Aplicaciones
- Uso general
- Amplificador de audio
- Reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 3.065
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 3.647,35
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 3.065 | $ 15.325 |
10 - 95 | $ 2.624 | $ 13.120 |
100 - 245 | $ 2.045 | $ 10.225 |
250 - 495 | $ 1.964 | $ 9.820 |
500+ | $ 1.709 | $ 8.545 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20.15 x 15.75 x 5.15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia Complementarios TIP35C/ TIP36C
St Microelectronics presenta su serie TIP35C/TIP36C de transistores de potencia complementarios. Este tipo de transistor está diseñado para amplificación de potencia de uso general y conmutación como etapas de salida o controlador. Las series TIP35C/ TIP36C están fabricadas especialmente en tecnología planar con diseño de isla base, lo que da lugar a que los transistores muestren un rendimiento de ganancia excepcionalmente alto al tiempo que tienen una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN - PNP complementarios
Aplicaciones
- Uso general
- Amplificador de audio
- Reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.