Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
10.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington TIP122
STMicroelectronics presenta su gama TIP122 de pares Darlington. Los pares o transistores Darlington son un paquete de dos transistores BJT estándar que se utilizan para amplificar señales débiles de un circuito a otro circuito o microprocesador.
Los dispositivos TIP122 se fabrican en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración Darlington monolítica. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia alto excepcional junto con una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN -PNP complementarios
Aplicaciones
- Conmutación y lineal de uso general
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
$ 37.350
$ 747 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 44.446
$ 888,93 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 37.350
$ 747 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 44.446
$ 888,93 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 747 | $ 37.350 |
| 100 - 200 | $ 702 | $ 35.100 |
| 250+ | $ 673 | $ 33.650 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
10.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington TIP122
STMicroelectronics presenta su gama TIP122 de pares Darlington. Los pares o transistores Darlington son un paquete de dos transistores BJT estándar que se utilizan para amplificar señales débiles de un circuito a otro circuito o microprocesador.
Los dispositivos TIP122 se fabrican en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración Darlington monolítica. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia alto excepcional junto con una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN -PNP complementarios
Aplicaciones
- Conmutación y lineal de uso general
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


