Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
138A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
414nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.3 mm
Longitud
15.9mm
Altura
20.3mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.379.220
$ 45.974 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.641.272
$ 54.709,06 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 1.379.220
$ 45.974 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.641.272
$ 54.709,06 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
138A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
414nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.3 mm
Longitud
15.9mm
Altura
20.3mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto


