Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
138 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
Máx. 247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
414 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
138 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
Máx. 247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
414 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
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