MOSFET STMicroelectronics STY145N65M5, VDSS 650 V, ID 138 A, Máx. 247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 880-5474Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STY145N65M5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

138 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

Máx. 247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

625000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

414 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.3mm

Tensión de diodo directa

1.5V

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 54.842

$ 54.842 Each (Sin IVA)

$ 65.262

$ 65.262 Each (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STY145N65M5, VDSS 650 V, ID 138 A, Máx. 247 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 54.842
2$ 104.202
3$ 156.303
4$ 208.404
5$ 235.780
6$ 282.936
7$ 330.092
8$ 377.248
9$ 424.404
10$ 466.200
11$ 512.820
12$ 559.440
13$ 606.060
14$ 652.680
15$ 699.300

$ 54.842

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1

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5$ 235.780
6$ 282.936
7$ 330.092
8$ 377.248
9$ 424.404
10$ 466.200
11$ 512.820
12$ 559.440
13$ 606.060
14$ 652.680
15$ 699.300

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 1$ 54.842
2 - 4$ 52.101
5 - 9$ 47.156
10+$ 46.620

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15 m.Ω

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Mejora

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5V

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3V

Disipación de Potencia Máxima

625000 mW

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Single

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Anchura

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.9mm

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+150 ºC

Altura

20.3mm

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