Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
138 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
Máx. 247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.3mm
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
414 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.379.220
$ 45.974 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 1.641.272
$ 54.709,06 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 1.379.220
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$ 1.641.272
$ 54.709,06 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
138 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
Máx. 247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.3mm
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
414 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
Datos del producto


