Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
130A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
363nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
15.9mm
Altura
20.3mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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Disipación de potencia máxima Pd
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
15.9mm
Altura
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DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
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China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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