MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
130A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
363nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.3 mm
Altura
20.3mm
Largo
15.9mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 44.415
$ 44.415 Each (Sin IVA)
$ 52.854
$ 52.854 Each (IVA Inc.)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | $ 44.415 |
| 2 - 4 | $ 40.856 |
| 5+ | $ 36.776 |
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Series
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Tipo de soporte
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
363nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.3 mm
Altura
20.3mm
Largo
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No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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