MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
130A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Serie
MDmesh M5
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
363nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
15.9mm
Altura
20.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 44.415
$ 44.415 Each (Sin IVA)
$ 52.854
$ 52.854 Each (IVA Inc.)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | $ 44.415 |
| 2 - 4 | $ 40.856 |
| 5+ | $ 36.776 |
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
130A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Serie
MDmesh M5
Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
363nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Longitud
15.9mm
Altura
20.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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