MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 72 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 225-0679PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STWA68N65DM6AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

72A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh DM6

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

39mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

480W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

118nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

150°C

Altura

5.1mm

Longitud:

40.92mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Encapsulado

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Serie

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Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

39mΩ

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Enhancement

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480W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

118nC

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