Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
TO-247
Serie
STW
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
320W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
52.6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
5.1mm
Longitud:
40.92mm
Certificaciones y estándares
UL
Ancho
15.8mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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Volver a intentar más tarde
$ 228.750
$ 7.625 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 272.212
$ 9.073,75 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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STW
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4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
320W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
52.6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
5.1mm
Longitud:
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Certificaciones y estándares
UL
Ancho
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Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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