MOSFET STMicroelectronics STW9N150, VDSS 1.500 V, ID 8 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0639Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW9N150
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

320000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

89,3 nC a 10 V

Anchura

5.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 12.726

$ 12.726 Each (Sin IVA)

$ 15.144

$ 15.144 Each (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STW9N150, VDSS 1.500 V, ID 8 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 12.726
2$ 25.452
3$ 38.178
4$ 50.904
5$ 60.400
6$ 72.480
7$ 84.560
8$ 96.640
9$ 108.720
10$ 108.830
11$ 119.713
12$ 130.596
13$ 141.479
14$ 152.362
15$ 163.245

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1

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6$ 72.480
7$ 84.560
8$ 96.640
9$ 108.720
10$ 108.830
11$ 119.713
12$ 130.596
13$ 141.479
14$ 152.362
15$ 163.245

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 12.726
5 - 9$ 12.080
10 - 24$ 10.883
25 - 49$ 9.938
50+$ 9.686

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MDmesh

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TO-247

Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

320000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

89,3 nC a 10 V

Anchura

5.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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