MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 84 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
84A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
29mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
204nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 457.050
$ 15.235 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 543.890
$ 18.129,65 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
84A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
29mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
204nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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