MOSFET STMicroelectronics STW88N65M5, VDSS 710 V, ID 84 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Series
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
450000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
204 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 457.050
$ 15.235 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 543.890
$ 18.129,65 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
450000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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