MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 69 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
69A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
32mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
203nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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MOSFET
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Type N
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
32mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
203nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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