MOSFET STMicroelectronics STW77N65M5, VDSS 650 V, ID 69 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
69 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 521.640
$ 17.388 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 620.752
$ 20.691,72 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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N
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69 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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