MOSFET STMicroelectronics STW75NF20, VDSS 200 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 136.560
$ 4.552 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 162.506
$ 5.416,88 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 136.560
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.552 | $ 136.560 |
| 60 - 120 | $ 3.665 | $ 109.950 |
| 150+ | $ 3.574 | $ 107.220 |
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Altura
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