Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
STW
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
118nC
Disipación de potencia máxima Pd
480W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud:
40.92mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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480W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud:
40.92mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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