MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW70N60M2, VDSS 600 V, ID 68 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
68A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
40mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
118nC
Tensión directa Vf
0.98V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Profundidad
20.15 mm
Altura
5.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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3
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Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
118nC
Tensión directa Vf
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Profundidad
20.15 mm
Altura
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Largo
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RoHS
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No
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