MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2, VDSS 600 V, ID 66 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 111-6487Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW70N60DM2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

66 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

446 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

121 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Datos del producto

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics

Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 14.254

$ 14.254 Each (Sin IVA)

$ 16.962

$ 16.962 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 14.254
10 - 99$ 12.269
100 - 499$ 11.372
500+$ 11.088

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3

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

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Anchura

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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1.6V

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