MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STW68N65DM6-4AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247-4 de 4 pines

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida de malla anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de desplazamiento de fase ZVS.

• Diseñado para aplicaciones de automoción
• Diodo de cuerpo de recuperación rápida
• RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior
• Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
• 100 % a prueba de avalancha
• Robustez dv/dt muy alta
• Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional
• Protegido por Zener