MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW65N045M9-4, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, TO-247-4 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
54A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247-4
Series
STW65N
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
8nC
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 301.800
$ 10.060 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 359.142
$ 11.971,40 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 301.800
$ 10.060 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 359.142
$ 11.971,40 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 10.060 | $ 301.800 |
| 60 - 60 | $ 9.053 | $ 271.590 |
| 90+ | $ 8.147 | $ 244.410 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
54A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247-4
Series
STW65N
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
8nC
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China

