Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
3.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Encapsulado
TO-247
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7Ω
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
42nC
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Longitud
15.75mm
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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2
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STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
3.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Encapsulado
TO-247
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7Ω
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
42nC
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Longitud
15.75mm
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
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