MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z, VDSS 1000 V, ID 3.5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5355PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW5NK100Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

42 nC a 10 V

Profundidad

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Altura

20.15mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.5 A

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Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

42 nC a 10 V

Profundidad

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Altura

20.15mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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