MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
52A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
350W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
91nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 252.780
$ 8.426 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 300.808
$ 10.026,94 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 8.426 | $ 252.780 |
| 60 - 120 | $ 7.684 | $ 230.520 |
| 150+ | $ 7.500 | $ 225.000 |
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
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Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
350W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
91nC
Temperatura Máxima de Operación
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No
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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