MOSFET STMicroelectronics STW56N60M2, VDSS 650 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 876-5720Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW56N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

52 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

MDmesh M2

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

55 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

350000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

91 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

20.15mm

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 10.820

$ 10.820 Each (Sin IVA)

$ 12.876

$ 12.876 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 10.820
5 - 9$ 10.269
10 - 24$ 9.403
25 - 49$ 9.167
50+$ 8.930

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Tipo de Encapsulado

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3

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

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2V

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Largo

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Altura

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