MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
50A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
60mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-5.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
90nC
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 14.663
$ 14.663 Each (Sin IVA)
$ 17.449
$ 17.449 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 14.663 |
| 5 - 9 | $ 13.923 |
| 10 - 24 | $ 12.537 |
| 25 - 49 | $ 11.293 |
| 50+ | $ 10.710 |
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
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Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
60mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-5.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
90nC
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
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Certificaciones y estándares
No
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No
Datos del producto
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