MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
50A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
60mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
-5.5V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
90nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 14.663
$ 14.663 Each (Sin IVA)
$ 17.449
$ 17.449 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 14.663 |
| 5 - 9 | $ 13.923 |
| 10 - 24 | $ 12.537 |
| 25 - 49 | $ 11.293 |
| 50+ | $ 10.710 |
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Encapsulado
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Series
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Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
60mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
360W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
-5.5V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
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No
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
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