MOSFET STMicroelectronics STW4N150, VDSS 1.500 V, ID 4 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-6566Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW4N150
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STW4N150, VDSS 1.500 V, ID 4 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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TO-247

Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

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1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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