MOSFET STMicroelectronics STW48NM60N, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 760-9796Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW48NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

39 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

124 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 3.355 Each (Sin IVA)

$ 3.992

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

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Anchura

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Si

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1

Largo

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