Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
124 nC a 10 V
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 100.770
$ 3.359 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 119.916
$ 3.997,21 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 100.770
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
124 nC a 10 V
Altura
20.15mm
Datos del producto


