Módulo MOSFET STMicroelectronics STW48N60M6-4, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-247-4 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
ST
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.061 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
ST
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.061 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC

