Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Serie
MDmesh DM2
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5.15mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Volver a intentar más tarde
$ 196.170
$ 6.539 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 233.442
$ 7.781,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 196.170
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$ 7.781,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Serie
MDmesh DM2
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5.15mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.