MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 196.170
$ 6.539 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 233.442
$ 7.781,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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