Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
MDmesh M5
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Altura
20.15mm
Longitud:
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Volver a intentar más tarde
$ 7.072
$ 7.072 Each (Sin IVA)
$ 8.416
$ 8.416 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
33A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
MDmesh M5
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
79mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15mm
Altura
20.15mm
Longitud:
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.