MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
32A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
99mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
56.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 143.910
$ 4.797 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 171.253
$ 5.708,43 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.797 | $ 143.910 |
| 60 - 120 | $ 4.675 | $ 140.250 |
| 150+ | $ 4.558 | $ 136.740 |
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
32A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
99mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
56.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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