MOSFET STMicroelectronics STW40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 143.910
$ 4.797 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 171.253
$ 5.708,43 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.797 | $ 143.910 |
| 60 - 120 | $ 4.675 | $ 140.250 |
| 150+ | $ 4.558 | $ 136.740 |
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N
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32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
Anchura
5.15mm
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
País de Origen
China
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