MOSFET STMicroelectronics STW3N150, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0320Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW3N150
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29,3 nC a 10 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 5.497

$ 5.497 Each (Sin IVA)

$ 6.541

$ 6.541 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 5.497
5 - 9$ 5.213
10 - 24$ 4.709
25 - 49$ 4.221
50+$ 4.016

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Series

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

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-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Anchura

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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