MOSFET STMicroelectronics STW35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
210000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
54 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 163.950
$ 5.465 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 195.100
$ 6.503,35 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 5.465 | $ 163.950 |
| 60 - 120 | $ 4.950 | $ 148.500 |
| 150+ | $ 4.827 | $ 144.810 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
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1
Anchura
5.15mm
Largo
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
País de Origen
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Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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