MOSFET STMicroelectronics STW34NM60ND, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 760-9792PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW34NM60ND
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

29 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

FDmesh

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80,4 nC a 10 V

Altura

20.15mm

Datos del producto

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

29 A

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TO-247

Series

FDmesh

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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