Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
29A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
84nC
Tensión directa Vf
1.6V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 254.670
$ 8.489 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 303.057
$ 10.101,91 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 254.670
$ 8.489 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 303.057
$ 10.101,91 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | $ 8.489 | $ 254.670 |
| 90 - 480 | $ 7.037 | $ 211.110 |
| 510 - 960 | $ 6.213 | $ 186.390 |
| 990+ | $ 5.399 | $ 161.970 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
29A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
105mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
84nC
Tensión directa Vf
1.6V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.15 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto


