Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
210000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 9.797
$ 9.797 Each (Sin IVA)
$ 11.658
$ 11.658 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 9.797
$ 9.797 Each (Sin IVA)
$ 11.658
$ 11.658 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 9.797 |
| 10 - 99 | $ 8.426 |
| 100 - 499 | $ 6.993 |
| 500 - 999 | $ 6.174 |
| 1000+ | $ 5.371 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
210000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Material del transistor
Si
Altura
20.15mm
Datos del producto


