MOSFET STMicroelectronics STW34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-7533Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW34NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

29 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

105 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

210000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

84 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 254.670

$ 8.489 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 303.057

$ 10.101,91 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STW34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 254.670
60$ 509.340
90$ 633.330
120$ 844.440
150$ 1.055.550
180$ 1.266.660
210$ 1.477.770
240$ 1.688.880
270$ 1.899.990
300$ 2.111.100
330$ 2.322.210
360$ 2.533.320
390$ 2.744.430
420$ 2.955.540
450$ 3.166.650

$ 254.670

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30$ 254.670
60$ 509.340
90$ 633.330
120$ 844.440
150$ 1.055.550
180$ 1.266.660
210$ 1.477.770
240$ 1.688.880
270$ 1.899.990
300$ 2.111.100
330$ 2.322.210
360$ 2.533.320
390$ 2.744.430
420$ 2.955.540
450$ 3.166.650

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 60$ 8.489$ 254.670
90 - 480$ 7.037$ 211.110
510 - 960$ 6.213$ 186.390
990+$ 5.399$ 161.970

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N

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29 A

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TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

105 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

210000 mW

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Single

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-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Largo

15.75mm

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Si

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+150 ºC

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1

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