Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
28A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Serie
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
110mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
62.5nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
15.75mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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$ 7.907
$ 7.907 Each (Sin IVA)
$ 9.409
$ 9.409 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 7.907
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 7.907 |
| 5 - 9 | $ 7.529 |
| 10 - 24 | $ 6.757 |
| 25 - 49 | $ 6.095 |
| 50+ | $ 5.780 |
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MOSFET
Tipo de canal
Type N
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Serie
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
110mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
62.5nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
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Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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