MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW33N60M2, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 829-1504PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW33N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Series

MDmesh M2

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45.5nC

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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MOSFET

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650V

Encapsulado

TO-247

Series

MDmesh M2

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45.5nC

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

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No

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