MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
22A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
139mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
64nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 116.760
$ 3.892 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 138.944
$ 4.631,48 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Type N
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
64nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
5.15 mm
Longitud
15.75mm
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No
Altura
20.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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