MOSFET STMicroelectronics STW28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 829-1507Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW28N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

22,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

MDmesh M2

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

170 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

36 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 9.040

$ 4.520 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 10.758

$ 5.378,80 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 4.520$ 9.040
10 - 18$ 4.292$ 8.584
20 - 48$ 3.859$ 7.718
50 - 98$ 3.481$ 6.962
100+$ 3.300$ 6.600

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Tipo de Encapsulado

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Tipo de Montaje

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3

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150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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170 W

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Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Largo

15.75mm

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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