MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW28N60DM2, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
22A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-247
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
39nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 10.458
$ 5.229 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 12.445
$ 6.222,51 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 5.229 | $ 10.458 |
| 10 - 18 | $ 4.977 | $ 9.954 |
| 20 - 48 | $ 4.473 | $ 8.946 |
| 50 - 98 | $ 4.024 | $ 8.048 |
| 100+ | $ 3.819 | $ 7.638 |
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Corriente continua máxima de drenaje ld
22A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
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Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
39nC
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Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
5.15 mm
Altura
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Longitud
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No
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No
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