MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 103-1991Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW26NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Altura

20.15mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 210.750

$ 7.025 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 250.792

$ 8.359,75 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 210.750
60$ 421.500
90$ 505.800
120$ 674.400
150$ 843.000
180$ 1.011.600
210$ 1.180.200
240$ 1.348.800
270$ 1.517.400
300$ 1.686.000
330$ 1.854.600
360$ 2.023.200
390$ 2.191.800
420$ 2.360.400
450$ 2.529.000

$ 210.750

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30$ 210.750
60$ 421.500
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150$ 843.000
180$ 1.011.600
210$ 1.180.200
240$ 1.348.800
270$ 1.517.400
300$ 1.686.000
330$ 1.854.600
360$ 2.023.200
390$ 2.191.800
420$ 2.360.400
450$ 2.529.000

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 60$ 7.025$ 210.750
90 - 480$ 5.620$ 168.600
510 - 960$ 4.994$ 149.820
990+$ 4.229$ 126.870

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TO-247

Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

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Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

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+150 ºC

Anchura

5.15mm

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Si

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