MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 783-3090Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW24N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

MDmesh M2

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 17.720

$ 3.544 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 21.087

$ 4.217,36 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 3.544$ 17.720
25 - 45$ 3.367$ 16.835
50 - 120$ 3.030$ 15.150
125 - 245$ 2.728$ 13.640
250+$ 2.589$ 12.945

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3

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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Anchura

5.15mm

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Si

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1

Largo

15.75mm

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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