MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.174 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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$ 2.587,06 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.15mm
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.15mm
País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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